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深圳RJM8L151系列

深圳RJM8L151系列

由武汉瑞纳捷半导体研发生产的低功耗安全MCU芯片RJM8L151是一款专为低功耗产品设计的MCU芯片,内置国密算法SM4,国际加密算法DES/3DES。此外芯片还支持各种常见通信接口,极大的满足了物联网终端通信产品,例智能门锁(生物识别门锁)对通信接口和功耗的要求。

产品概述

由武汉瑞纳捷半导体研发生产的低功耗安全MCU芯片RJM8L151是一款专为低功耗产品设计的MCU芯片,内置国密算法SM4,国际加密算法DES/3DES。此外芯片还支持各种常见通信接口,极大的满足了物联网终端通信产品,例智能门锁(生物识别门锁)对通信接口和功耗的要求。



   系列

 

        型号

 

   主频

 

   Flash

 

  RAM

 

  GPIO

 

            接口

 

    ADC

 

   比较器

 

  定时器

 

    RTC

 

    安全模块

 

  工作电压

 

    封装(尺寸)

 

    151系列

 

  RJM8L151F4P6R

 

  16MHz

 

  16KB

 

   2KB

 

    17

 

   UART/SPI/I²C

 

  7*12bit

 

  N/A

 

  5*16bit

 

N/A

  8bit RNG AES/DES/SM4

 

  1.8~5.0V

   TSSOP20L (6.5×4.4mm)

 

  RJM8L151F6P6R

 

  16MHz

 

  32KB

 

   4KB

 

   17

 

  UART/SPI/I²C

 

  7*12bit

 

  N/A

 

  5*16bit

 

N/A

  8bit RNG AES/DES/SM4

 

  1.8~5.0V

   TSSOP20L (6.5×4.4mm)

 

  RJM8L151K6Q6Y

 

  16MHz

 

  32KB

 

  4KB

 

  25

 

  UART/SPI/I²C

 

  7*12bit

 

  N/A

 

  5*16bit

 

1

  8bit RNG

  AES/DES/SM4

 

  1.8~5.0V

  QFN32

(4.0×4.0mm)

 

  RJM8L151K8Q6Y

 

  16MHz

 

  64KB

 

  8KB

 

  25

 

  UART/SPI/I²C

 

  7*12bit

 

  N/A

 

  5*16bit

 

1

  8bit RNG AES/DES/SM4

 

  1.8~5.0V

  QFN32 (4.0×4.0mm)

 

  RJM8L151C6T6Y

 

  16MHz

 

  32KB

 

  4KB

 

  40

 

  UART/SPI/I²C/7816

 

  7*12bit

 

  1

 

  5*16bit

 

1

  8bit RNG AES/ DES/SM4

 

  1.8~5.0V

  LQFP48 (7.0×7.0mm)

 

  RJM8L151C8T6Y

 

  16MHz

 

  64KB

 

  8KB

 

  40

 

  UART/SPI/I²C/7816

 

  7*12bit

 

  1

 

  5*16bit

 

1

   8bit RNG AES/DES/SM4

 

   1.8~5.0V

  LQFP48 (7.0×7.0mm)


应用领域

物联网终端

 

智能门锁

 

电池供电的产品


技术参数

              

            密码算法

  对称加密: DES、3DES、 AES、SM

  非对称加密: RSAVSM2

  摘要算法: SM3/SMA-256

 

 

 

            产品特性

  采用增强型80C51内核,最高主频16MHz
  支持一路智能卡ISO/IEC7816接口
  内嵌一路真随机发生器
  深度睡眠功耗2.2nA,外部唤醒时间小于4.7uS。
  内置对称加密算法SM4、DES、3DES。

 

 

            保护措施

   对称加密算法

 SM4 / DES / 3DES

  随机电路

 1路真随机发生器

  电压设置

 电压检测可配置

  Flash保护

 FLASH代码保护

 

             功耗

  Halt功耗 <0.35uA(唤醒时间<4.7us)
 睡眠功耗 2.2nA,最大可支持4路IO唤醒

 

            电气特性

 ESD保护 2KV
 工作电压 1.65~5.5V
 工作温度 -40~85℃


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